二硫化鉬首現曙光
- 上線日期：2013/7/1 上午 12:00:00
- 資料來源：耐米科學網
英美德研究人員最近發現，利用單層二硫化鉬(MoS2，俗稱輝鉬礦)製作的電晶體能產生電致發光(electroluminescence)。此新研究結果確認了2D層狀半導體如MoS2在未來光電產業的發展潛能，可望用來打造光源及其他光電元件。
MoS2為直接能隙(1.8 eV)半導體，比間接能隙的矽材料更適用於某些光電元件，甚至被看好在未來電子電路應用上可能成為石墨烯(graphene)的對手。對於使用電子-電洞對激發特性的光電元件如發光二極體、太陽能電池及光偵測器而言，直接能隙材料的效率優於間接能隙材料。能隙的存在也讓裝置能輕易開關，更是電晶體不可或缺的特性，相形之下，零能隙的純石墨烯還需要靠掺雜或其他方式打開能隙。
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