工研院採用Synopsys模擬軟體開發碳化矽功率元件
- 上線日期：2011/3/30 上午 12:00:00
- 資料來源：電子工程專輯
新思科技(Synopsys)近日宣佈，工研院(ITRI)已採用其 TCAD Sentaurus 模擬軟體以支援其在碳化矽(silicon carbide，SiC)半導體元件的研究開發。TCAD Sentaurus具備有精確的建模(modeling)技術，讓工研院得以藉由此技術對元件本身之電熱物理性質進行詳盡的模擬，以加速其碳化矽功率元件(power device)的開發。
碳化矽乃一種寬能隙(wide bandgap)的半導體，其卓越的電流電壓及高導熱特性適用於功率元件領域。過去十年來，碳化矽蕭特基二極體(SiC Schottky barrier diode)已廣泛為業界所利用，而針對油電混合車、智慧電網(smart grid)及其他創新電力裝置應用之新一代碳化矽元件的開發也正積極展開中。工研院目前正著手於各式功率元件的開發，以因應日漸提升的電氣汽車及太陽能電池陣列的市場需求。
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